Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK1R4F04PB,LXGQ

Номер детали производителя TK1R4F04PB,LXGQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Упаковка TO-220SM(W)
В наличии 56442 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.043 $0.936 $0.752 $0.618
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 56442 Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB,LXGQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 500µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220SM(W)
Серии U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 80A, 6V
Рассеиваемая мощность (макс) 205W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5500 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 103 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 160A (Ta)
Базовый номер продукта TK1R4F04

Рекомендуемые продукты

TK1R4F04PB,LXGQ DataSheet PDF