Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK190E65Z,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK190E65Z,S1X

Номер детали производителя TK190E65Z,S1X
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Упаковка TO-220
В наличии 77682 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.065 $0.957 $0.784 $0.667 $0.563 $0.535 $0.515
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 77682 Toshiba Semiconductor and Storage TK190E65Z,S1X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 610µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 130W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Ta)

Рекомендуемые продукты

TK190E65Z,S1X DataSheet PDF