Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK16G60W,RVQ
TK16G60W,RVQ Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK16G60W,RVQ

Номер детали производителя TK16G60W,RVQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 25282 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.326 $2.091 $1.713 $1.458
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 25282 Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W,RVQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 130W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1350 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15.8A (Ta)
Базовый номер продукта TK16G60

Рекомендуемые продукты

TK16G60W,RVQ DataSheet PDF