Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK170V65Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK170V65Z,LQ

Номер детали производителя TK170V65Z,LQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Упаковка 4-DFN-EP (8x8)
В наличии 47358 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.435 $1.29 $1.057 $0.899 $0.759
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 47358 Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z,LQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 730µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-DFN-EP (8x8)
Серии DTMOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / 4-VSFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1635 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Ta)
Базовый номер продукта TK170V65

Рекомендуемые продукты

TK170V65Z,LQ DataSheet PDF