Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > RN1901,LF(CT
RN1901,LF(CT Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1901,LF(CT

Номер детали производителя RN1901,LF(CT
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Упаковка US6
В наличии 3074110 pcs
Техническая спецификация RN1901-06Multiple Devices 01/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
3000 6000 15000 30000 75000 150000
$0.019 $0.017 $0.014 $0.013 $0.012 $0.011
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 3074110 Toshiba Semiconductor and Storage RN1901,LF(CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства US6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 1kOhms
Резистор - основание (R1) 4.7kOhms
Мощность - Макс 200mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта RN1901

Рекомендуемые продукты

RN1901,LF(CT DataSheet PDF

Техническая спецификация