Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > RN1902T5LFT
RN1902T5LFT Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1902T5LFT

Номер детали производителя RN1902T5LFT
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Упаковка US6
В наличии 4713 pcs
Техническая спецификация RN1901-06
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4713 Toshiba Semiconductor and Storage RN1902T5LFT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства US6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 10kOhms
Резистор - основание (R1) 10kOhms
Мощность - Макс 200mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта RN1902

Рекомендуемые продукты

RN1902T5LFT DataSheet PDF

Техническая спецификация