Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1708JE(TE85L,F)

Номер детали производителя	RN1708JE(TE85L,F)
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Упаковка	ESV
В наличии	1645383 pcs
Техническая спецификация

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000	2000
$0.149	$0.111	$0.063	$0.041	$0.032	$0.028

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1645383 Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE(TE85L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Поставщик Упаковка устройства	ESV
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	47kOhms
Резистор - основание (R1)	22kOhms
Мощность - Макс	100mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	SOT-553
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	250MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Базовый номер продукта	RN1708