Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > RN1903FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1903FE,LF(CT

Номер детали производителя RN1903FE,LF(CT
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Упаковка ES6
В наличии 362590 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$0.093
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 362590 Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства ES6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 22kOhms
Резистор - основание (R1) 22kOhms
Мощность - Макс 100mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта RN1903

Рекомендуемые продукты

RN1903FE,LF(CT DataSheet PDF

Ключевые слова для RN1903FE,LF(CT

Связанные детали для RN1903FE,LF(CT