RN1901FETE85LF

Номер детали производителя	RN1901FETE85LF
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Упаковка	ES6
В наличии	1706497 pcs
Техническая спецификация	RN1901-06

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000	2000
$0.151	$0.124	$0.066	$0.043	$0.029	$0.027

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1706497 Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	ES6
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	4.7kOhms
Резистор - основание (R1)	4.7kOhms
Мощность - Макс	100mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	SOT-563, SOT-666
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	250MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Базовый номер продукта	RN1901