RN1112MFV,L3F
| Номер детали производителя | RN1112MFV,L3F |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| Упаковка | VESM |
| В наличии | 3358708 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.066 | $0.06 | $0.033 | $0.02 | $0.014 | $0.012 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 3358708 Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV,L3F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | VESM |
| Серии | - |
| Резистор - основание (R1) | 22 kOhms |
| Мощность - Макс | 150 mW |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | SOT-723 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Базовый номер продукта | RN1112 |
Рекомендуемые продукты
-
RN1111,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1113,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1111MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1112,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, VCEO=5Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1113ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1113CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1114MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1113(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1112CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1111,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1112(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1114(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1111CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1114,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1113MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1112(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1113,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47K, VCEO=5Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1115,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage