RN1102MFV,L3XHF(CT
| Номер детали производителя | RN1102MFV,L3XHF(CT |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER= |
| Упаковка | VESM |
| В наличии | 2027392 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.128 | $0.104 | $0.055 | $0.036 | $0.025 | $0.022 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 2027392 Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3XHF(CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | VESM |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
| Мощность - Макс | 150 mW |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | SOT-723 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Базовый номер продукта | RN1102 |
Рекомендуемые продукты
-
RN1103MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1101MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BERToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1103CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1103,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=22K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1102,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1101MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1102,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1104,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1101MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1101CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1102CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1101ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1102ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1102T5LFT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1102MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage