FDB2572
Номер детали производителя | FDB2572 |
---|---|
производитель | Fairchild Semiconductor |
Подробное описание | MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB |
Упаковка | D2PAK (TO-263) |
В наличии | 5705 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 5705 Fairchild Semiconductor FDB2572 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 9A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 135W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Bulk |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta), 29A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAKonsemi -
FDB28N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAKonsemi -
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABonsemi -
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB2710
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB2532-F085
MOSFET N-CH 150V 79A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKonsemi -
FDB2532-F085
MOSFET N-CH 150V 79A TO263ABonsemi -
FDB2552-F085
MOSFET N CH 150V 5A TO-263ABonsemi -
FDB2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263ABonsemi -
FDB2532
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB2614
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABonsemi -
FDB2552
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263ABonsemi -
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKonsemi -
FDB2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAKonsemi -
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263ABonsemi