FDB3502
| Номер детали производителя | FDB3502 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 4641 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 4641 Fairchild Semiconductor FDB3502 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.1W (Ta), 41W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 815 pF @ 40 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 75 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Ta), 14A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAKonsemi -
FDB3502
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263ABonsemi -
FDB3652SB82059
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB3632-F085
MOSFET N-CH 100V 12A TO263ABonsemi -
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAKonsemi -
FDB3652-F085
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10onsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263onsemi -
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKonsemi -
FDB2614
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB3632
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB2710
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKonsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABonsemi -
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAKonsemi -
FDB28N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi