DMT10H025SSS-13
| Номер детали производителя | DMT10H025SSS-13 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO |
| Упаковка | 8-SO |
| В наличии | 418793 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019DMT10H025SSS |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.237 | $0.209 | $0.16 | $0.127 | $0.101 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 418793 Diodes Incorporated DMT10H025SSS-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SO |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.4W (Ta) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1544 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 21.4 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.4A (Ta) |
| Базовый номер продукта | DMT10 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H032LDV-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H032LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H032LDV-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H025LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H025LK3-13
MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H032SFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H032LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H017LPD-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H032SFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H015SK3-13
MOSFET N-CH 100V 54A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H032LFDF-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Diodes Incorporated -
DMT10H032LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H015LPS-13
MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H032LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Diodes Incorporated -
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&RDiodes Incorporated