DMT10H015LFG-7
| Номер детали производителя | DMT10H015LFG-7 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 |
| Упаковка | PowerDI3333-8 |
| В наличии | 188456 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertMult Changes 11/May/2023DMT10H015LFG |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.349 | $0.272 | $0.224 | $0.177 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 188456 Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | POWERDI3333-8 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerVDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Ta), 42A (Tc) |
| Базовый номер продукта | DMT10 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H025SSS-13
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H015SK3-13
MOSFET N-CH 100V 54A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H015LFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015LPS-13
MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H015LCG-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H017LPD-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT10H025LK3-13
MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H025LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SODiodes Incorporated