DMT10H009SCG-13

Номер детали производителя	DMT10H009SCG-13
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Упаковка	V-DFN3333-8 (Type B)
В наличии	359180 pcs
Техническая спецификация	Diodes Environmental Compliance Cert DMT10H009SCG

Справочная цена (В долларах США)

3000	6000	15000
$0.139	$0.132	$0.127

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 359180 Diodes Incorporated DMT10H009SCG-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	V-DFN3333-8 (Type B)
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.3W (Ta)
Упаковка /	8-PowerVDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2085 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	14A (Ta), 48A (Tc)
Базовый номер продукта	DMT10