DMT10H010LSS-13
| Номер детали производителя | DMT10H010LSS-13 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO |
| Упаковка | 8-SO |
| В наличии | 152450 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019DMT10H010LSS |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.549 | $0.492 | $0.383 | $0.317 | $0.25 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 152450 Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SO |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.4W (Ta) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) |
| Базовый номер продукта | DMT10 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009LSS-13
MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015LCG-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015LPS-13
MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated