DMT10H072LFV-7
| Номер детали производителя | DMT10H072LFV-7 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 |
| Упаковка | PowerDI3333-8 (Type UX) |
| В наличии | 439686 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev 06/Dec/2019DMT10H072LFV |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.226 | $0.2 | $0.153 | $0.121 | $0.097 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 439686 Diodes Incorporated DMT10H072LFV-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerDI3333-8 (Type UX) |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2W (Ta) |
| Упаковка / | 8-PowerVDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 228 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.7A (Ta), 20A (Tc) |
| Базовый номер продукта | DMT10 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT10H9M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB TDiodes Incorporated -
DMT10H9M9LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H4M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50Diodes Incorporated -
DMT10H072LFDF-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT10H9M9LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H072LFV-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H032LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H032SFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H052LFDF-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Diodes Incorporated -
DMT10H032SFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMT10H9M9SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H4M5LPS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT10H072LFDFQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Diodes Incorporated -
DMT10H072LFDF-13
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT10H9M9SH3
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUBDiodes Incorporated -
DMT10H9M9LCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB TDiodes Incorporated -
DMT10H052LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Diodes Incorporated -
DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT10H4M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50Diodes Incorporated