DMT10H009LH3
Номер детали производителя | DMT10H009LH3 |
---|---|
производитель | Diodes Incorporated |
Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 84A TO251 |
Упаковка | TO-251 |
В наличии | 106473 pcs |
Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertAssembly REV 07/Sep/2021DMT10H009LH3 |
Справочная цена (В долларах США)
75 |
---|
$0.337 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 106473 Diodes Incorporated DMT10H009LH3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-251 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 96W (Tc) |
Упаковка / | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2309 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.2 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 84A (Tc) |
Базовый номер продукта | DMT10 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT-D-1-04
CONN RCPT HSG 4POS 3.00MMAdam Tech -
DMT10H009SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT-D-1-02
CONN RCPT HSG 2POS 3.00MMAdam Tech -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H009LFG-13
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDIDiodes Incorporated -
DMT-D-1-05
CONN RCPT HSG 5POS 3.00MMAdam Tech -
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009LSS-13
MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&RDiodes Incorporated -
DMT10H003SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT-D-1-03
CONN RCPT HSG 3POS 3.00MMAdam Tech -
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT-EXTPS
DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWERAmprobe -
DMT10H009LFG-7
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDIDiodes Incorporated -
DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT-B5-C-F-T-R
CONTACT TIN 20-24 AWGAdam Tech -
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated