Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies

IRFHM830DTRPBF

Номер детали производителя IRFHM830DTRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Упаковка PQFN (3x3)
В наличии 4840 pcs
Техническая спецификация Package Drawing Update 19/Aug/2015Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016Gate Wire Size Update 16/Dec/2014Additional Assembly Site 10/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4840 Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PQFN (3x3)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Упаковка / 8-VQFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1797 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFHM830DTRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация