Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies

IRFHM830TRPBF

Номер детали производителя IRFHM830TRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Упаковка 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
В наличии 271706 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015Assembly Site Retraction 01/Jul/2015
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.341 $0.306 $0.238 $0.197 $0.155 $0.145
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 271706 Infineon Technologies IRFHM830TRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2155 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Базовый номер продукта IRFHM830

Рекомендуемые продукты

IRFHM830TRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация