Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFH8337TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH8337TR2PBF

Номер детали производителя IRFH8337TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Упаковка PQFN (5x6)
В наличии 5771 pcs
Техническая спецификация IRFH8337TR2PbFPart Number GuideBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013PQFN 5x6 RoHS ComplianceMultiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5771 Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PQFN (5x6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 790 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFH8337TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация