Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRFHM8363TRPBF
Infineon Technologies

IRFHM8363TRPBF

Номер детали производителя IRFHM8363TRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Упаковка 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
В наличии 240887 pcs
Техническая спецификация Package Drawing Update 19/Aug/2015Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.431 $0.386 $0.301 $0.249 $0.196 $0.183
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 240887 Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс 2.7W
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1165pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRFHM8363

Рекомендуемые продукты

IRFHM8363TRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация