Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFH8318TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH8318TR2PBF

Номер детали производителя IRFH8318TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Упаковка PQFN (5x6)
В наличии 4106 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013PQFN 5x6 RoHS ComplianceMultiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4106 Infineon Technologies IRFH8318TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PQFN (5x6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3180 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 27A (Ta), 120A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFH8318TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFH8318TR2PBF

Связанные детали для IRFH8318TR2PBF