Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD70R1K4P7SAUMA1
IPD70R1K4P7SAUMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD70R1K4P7SAUMA1

Номер детали производителя IPD70R1K4P7SAUMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3
В наличии 392968 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.277 $0.245 $0.188 $0.148 $0.119
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 392968 Infineon Technologies IPD70R1K4P7SAUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3
Серии CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 23W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 158 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 700 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Базовый номер продукта IPD70

Рекомендуемые продукты

IPD70R1K4P7SAUMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация