Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD30N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies

IPD30N06S2L13ATMA1

Номер детали производителя IPD30N06S2L13ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Упаковка PG-TO252-3-11
В наличии 5919 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5919 Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 136W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPD30N06S2L13ATMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IPD30N06S2L13ATMA1

Связанные детали для IPD30N06S2L13ATMA1