Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD30N12S3L31ATMA1
Infineon Technologies

IPD30N12S3L31ATMA1

Номер детали производителя IPD30N12S3L31ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL_100+
Упаковка PG-TO252-3-11
В наличии 213183 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Wafer Test Add 27/Apr/2017
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.45 $0.404 $0.315 $0.26 $0.205
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 213183 Infineon Technologies IPD30N12S3L31ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 29µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-11
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-T
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 57W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1970 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 120 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Базовый номер продукта IPD30N12

Рекомендуемые продукты

IPD30N12S3L31ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация