Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD26N06S2L35ATMA1
IPD26N06S2L35ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD26N06S2L35ATMA1

Номер детали производителя IPD26N06S2L35ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3-11
В наличии 6605 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6605 Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 26µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 68W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 621 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Базовый номер продукта IPD26N

Рекомендуемые продукты

IPD26N06S2L35ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация