IPD30N06S4L23ATMA2
Номер детали производителя | IPD30N06S4L23ATMA2 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 |
Упаковка | PG-TO252-3-11 |
В наличии | 242631 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.358 | $0.314 | $0.241 | $0.19 | $0.152 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 242631 Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Vgs (макс.) | ±16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 30A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 36W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1560 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD30N06 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S223ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S2L-23
IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD30N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L23ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD350N06LGBUMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD320N20N3GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L13ATMA1
IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3-24
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N12S3L31ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3L-20
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3Infineon Technologies