IPD33CN10NGATMA1
| Номер детали производителя | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 184814 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.564 | $0.503 | $0.392 | $0.324 | $0.256 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 184814 Infineon Technologies IPD33CN10NGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 58W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 27A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD33CN10 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD400N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3Infineon Technologies -
IPD320N20N3GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD380P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N12S3L31ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD390P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3Infineon Technologies -
IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3-24
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N06S3L-20
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD350N06LGBUMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD35N10S3L-26
IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Infineon Technologies