IPB80N04S3H4ATMA1
Номер детали производителя | IPB80N04S3H4ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 6177 pcs |
Техническая спецификация | IPx80N04S3-H4Part Number GuideMult Device EOL 31/Aug/2017Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6177 Infineon Technologies IPB80N04S3H4ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 65µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 80A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 115W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB80N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB80N04S2H4ATMA2
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPB80N06S209ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S2H4-ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S204ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S3-04
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S403JEATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S204ATMA2
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies