IPB80N06S209ATMA1
| Номер детали производителя | IPB80N06S209ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Упаковка | PG-TO263-3-2 |
| В наличии | 4276 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4276 Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 125µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 190W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2360 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 55 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB80N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S209ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L-11
IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S403JEATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5AUMA1
IC MOSFET N-CH TO263-3Infineon Technologies