Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB80N04S2-H4ATMA2
Infineon Technologies

IPB80N04S2-H4ATMA2

Номер детали производителя IPB80N04S2-H4ATMA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 6326 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6326 Infineon Technologies IPB80N04S2-H4ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4400 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 148 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPB80N04S2-H4ATMA2 DataSheet PDF

Ключевые слова для IPB80N04S2-H4ATMA2

Связанные детали для IPB80N04S2-H4ATMA2