IPB80N06S2L06ATMA2
Номер детали производителя | IPB80N06S2L06ATMA2 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 60859 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019IPx80N06S2L-06 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.159 | $1.042 | $0.854 | $0.727 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 60859 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 69A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3800 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 55 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB80N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB80N06S2L-11
IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S209ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L11ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5AUMA1
IC MOSFET N-CH TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L11ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S209ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L09ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2LH5
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies