Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies

IPB70N12S3L12ATMA1

Номер детали производителя IPB70N12S3L12ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL_100+
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 3791 pcs
Техническая спецификация IPx70N12S3L-12Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 9/Sep/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3791 Infineon Technologies IPB70N12S3L12ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 83µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 70A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5550 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 77 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 120 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 70A (Tc)
Базовый номер продукта IPB70N

Рекомендуемые продукты

IPB70N12S3L12ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация