IPB09N03LAT
Номер детали производителя | IPB09N03LAT |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 6107 pcs |
Техническая спецификация | IPB09N03LA GPart Number Guide |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6107 Infineon Technologies IPB09N03LAT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 63W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1642 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB09N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB100N04S204ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N04S2L-03ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N04S4H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB090N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N06S205ATMA4
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N04S204ATMA4
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB097N08N3GATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB097N08N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N04S2-04
IPB100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPB100N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB096N03LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB093N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB100N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3Infineon Technologies