IPB072N15N3GE8187ATMA1
| Номер детали производителя | IPB072N15N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
| Упаковка | PG-TO263-3-2 |
| В наличии | 6063 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6063 Infineon Technologies IPB072N15N3GE8187ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5470 pF @ 75 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB072N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB06P001LATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N03L G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB070N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies