IPB100N10S305ATMA1
| Номер детали производителя | IPB100N10S305ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Упаковка | PG-TO263-3-2 |
| В наличии | 29090 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Wafer Test Add 27/Apr/2017 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.195 | $1.972 | $1.616 | $1.376 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 29090 Infineon Technologies IPB100N10S305ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 11570 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 176 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB100 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB100N06S3L-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N08S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB100N06S205ATMA4
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB10N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB108N15N3G
IPB108N15 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N06S3-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB110N06L G
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263Infineon Technologies -
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N06S2L05ATMA2
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N12S305ATMA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3Infineon Technologies -
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100P03P3L-04
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies