IPB083N10N3GATMA1
| Номер детали производителя | IPB083N10N3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 97608 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $0.71 | $0.638 | $0.513 | $0.421 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 97608 Infineon Technologies IPB083N10N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 73A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB083 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A D2PAKInfineon Technologies -
IPB08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAKInfineon Technologies -
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3Infineon Technologies -
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03L G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB085N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263Infineon Technologies -
IPB072N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB096N03LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB093N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB090N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies