IPB090N06N3GATMA1
| Номер детали производителя | IPB090N06N3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 145863 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $0.467 | $0.419 | $0.327 | $0.27 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 145863 Infineon Technologies IPB090N06N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 71W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2900 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB090 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB09N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB097N08N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAKInfineon Technologies -
IPB093N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB097N08N3GATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB085N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263Infineon Technologies -
IPB09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A D2PAKInfineon Technologies -
IPB096N03LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAKInfineon Technologies -
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03L G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies