IPB065N15N3GE8187ATMA1
| Номер детали производителя | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| Упаковка | PG-TO263-7 |
| В наличии | 6917 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6917 Infineon Technologies IPB065N15N3GE8187ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-7 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7300 pF @ 75 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 130A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB065N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB065N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7Infineon Technologies -
IPB060N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7Infineon Technologies -
IPB05N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB070N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB065N06LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06P001LATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKInfineon Technologies