IPB052N04NGATMA1
| Номер детали производителя | IPB052N04NGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 6547 pcs |
| Техническая спецификация | IPB052N04N GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6547 Infineon Technologies IPB052N04NGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 70A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 79W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3300 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 70A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB052N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB055N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB054N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB054N06N3G
IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB04N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB057N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB051NE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB055N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB051NE8NGATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB052N04NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies