IMYH200R100M1HXKSA1
| Номер детали производителя | IMYH200R100M1HXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | SIC DISCRETE |
| Упаковка | PG-TO247-4-U04 |
| В наличии | 4355 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $11.573 | $10.674 | $9.115 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4355 Infineon Technologies IMYH200R100M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 6mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -7V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-4-U04 |
| Серии | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 131mOhm @ 10A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 217W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 2000 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 26A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IMYH200 |
Рекомендуемые продукты
-
IXTY2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO252IXYS -
AON7246_101
MOSFET N-CH 60V 34.5A 8DFNAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
IXFX30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247-3IXYS -
IXFA10N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 10A TO263IXYS -
STP80NF12
MOSFET N-CH 120V 80A TO220ABSTMicroelectronics -
SIRA62DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAKVishay Siliconix -
NTPF190N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEonsemi -
IMYH200R050M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IRLU3303PBF
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAKInfineon Technologies -
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAKonsemi -
IMYH200R012M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMYH200R075M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
FQPF5N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3onsemi -
IRF8306MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFETInfineon Technologies -
ZVN0124ZSTOB
MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINEDiodes Incorporated -
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IRFSL7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262International Rectifier -
RF6E065BNTCR
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6Rohm Semiconductor -
SIHW33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247ADVishay Siliconix