IMYH200R050M1HXKSA1
| Номер детали производителя | IMYH200R050M1HXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | SIC DISCRETE |
| Упаковка | PG-TO247-4-U04 |
| В наличии | 2000 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $20.085 | $18.738 | $16.27 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 2000 Infineon Technologies IMYH200R050M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 12.1mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -7V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-4-U04 |
| Серии | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 20A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 348W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 82 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 2000 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 48A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IMYH200 |
Рекомендуемые продукты
-
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage -
IRLML6402TRPBF-1
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23Infineon Technologies -
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POWTaiwan Semiconductor Corporation -
PMXB75UPEZ
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3Nexperia USA Inc. -
AON2405
MOSFET P-CH 20V 8A 6DFNAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
AOB280L
MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263Alpha & Omega Semiconductor Inc. -
IXTP28N15P
MOSFET N-CH TO-220IXYS -
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
HAT2131R-EL-E
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOPRenesas Electronics America Inc -
64-2155PBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAKInfineon Technologies -
STP9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220ABSTMicroelectronics -
IMYH200R012M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMYH200R075M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
STF23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A TO220FPSTMicroelectronics -
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3Vishay Siliconix -
FDU8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAKonsemi -
IRFR3711TRL
MOSFET N-CH 20V 100A DPAKInfineon Technologies -
STD30NF04LT
MOSFET N-CH 40V 30A DPAKSTMicroelectronics