IMYH200R024M1HXKSA1
| Номер детали производителя | IMYH200R024M1HXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | SIC DISCRETE |
| Упаковка | PG-TO247-4-U04 |
| В наличии | 1082 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $36.903 | $34.997 | $31.664 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 1082 Infineon Technologies IMYH200R024M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 24mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -7V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-4-U04 |
| Серии | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 40A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 576W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 137 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 2000 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 89A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IMYH200 |
Рекомендуемые продукты
-
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFETGeneSiC Semiconductor -
IMYH200R012M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMYH200R050M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
SSM6K810R,LF
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10Toshiba Semiconductor and Storage -
CSD23280F3
MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTARN/A -
TSM340N06CH
60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWERTaiwan Semiconductor Corporation -
IPD60R280P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Infineon Technologies -
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
DMG4812SSS-13
MOSFET N-CH 30V 8A 8SODiodes Incorporated -
APT33N90JCU3
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227Microchip Technology -
DMP2033UCB9-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9Diodes Incorporated -
AON6508
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFNAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
IMYH200R075M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
DMN3112SQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RDiodes Incorporated -
SI8483DB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOTVishay Siliconix -
STP80PF55
MOSFET P-CH 55V 80A TO220ABSTMicroelectronics -
FDD4141
MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAKonsemi -
SUD20N10-66L-BE3
MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAKVishay Siliconix -
G06P01E
P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4Goford Semiconductor -
FQPF8N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3onsemi