IMYH200R075M1HXKSA1
| Номер детали производителя | IMYH200R075M1HXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | SIC DISCRETE |
| Упаковка | PG-TO247-4-U04 |
| В наличии | 3755 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $14.896 | $13.899 | $12.068 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3755 Infineon Technologies IMYH200R075M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 7.7mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -7V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-4-U04 |
| Серии | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 13A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 267W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 2000 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 34A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IMYH200 |
Рекомендуемые продукты
-
IMYH200R050M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
NTB75N03-06T4
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAKonsemi -
STP7NB60
MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220ABSTMicroelectronics -
BSP300L6327HUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4Infineon Technologies -
SI7308DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
SQM47N10-24L_GE3
MOSFET N-CH 100V 47A TO263Vishay Siliconix -
IPP60R520C6
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
SI7454FDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMYH200R012M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
SIR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
BSP322PL6327
P-CHANNEL MOSFETInfineon Technologies -
RM3401Y
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.2A SOT23Rectron USA -
PHP54N06T,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220ABNXP Semiconductors / Freescale -
FDMC2514SDC
MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33onsemi -
TSM60NB099CF C0G
MOSFET N-CH 600V 38A ITO220STaiwan Semiconductor Corporation -
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
PCR8PA0W
MOSFET N-CHonsemi -
SKP253VR
MOSFET N-CH 250V 20A TO263-3Sanken Electric USA Inc.