IMYH200R012M1HXKSA1
| Номер детали производителя | IMYH200R012M1HXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | SIC DISCRETE |
| Упаковка | PG-TO247-4-U04 |
| В наличии | 692 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 |
|---|---|
| $68.952 | $66.036 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 692 Infineon Technologies IMYH200R012M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 48mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -7V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-4-U04 |
| Серии | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 60A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 552W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 246 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 2000 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 123A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IMYH200 |
Рекомендуемые продукты
-
IRFR214
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAKVishay Siliconix -
FQD4P25TF
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAKonsemi -
IMYH200R075M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
NDP4050
MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3onsemi -
RFB18N10CS
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5Harris Corporation -
IRLR8103VTRPBF
MOSFET N-CH 30V 91A DPAKInfineon Technologies -
IMYH200R050M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
BUK7506-55A127
N-CHANNEL POWER MOSFETNXP USA Inc. -
IRL3202PBF
MOSFET N-CH 20V 48A TO220ABInfineon Technologies -
RV5C040APTCR1
MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6Rohm Semiconductor -
CPM2-1200-0160B
MOSFET NCH 1200V 36A DIEWolfspeed, Inc. -
TSM170N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFNTaiwan Semiconductor Corporation -
IXTQ26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO3PIXYS -
94-4305PBF
IC MOSFETInfineon Technologies -
IRL40S212
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAKInfineon Technologies -
NTTFS6H880NLTAG
MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFNonsemi -
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
PSMN6R4-30MLD,115
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNexperia USA Inc. -
IRFR9210TRLPBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKVishay Siliconix -
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies