IGLR60R190D1XUMA1
| Номер детали производителя | IGLR60R190D1XUMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GAN HV |
| Упаковка | PG-TSON-8-6 |
| В наличии | 23844 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.021 | $2.729 | $2.259 | $1.967 | $1.714 | $1.65 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 23844 Infineon Technologies IGLR60R190D1XUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TSON-8-6 |
| Серии | CoolGaN™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 55.5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12.8A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IPP80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3Infineon Technologies -
SI5406DC-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8Vishay Siliconix -
YJP200G06B
Transistors - FETs, MOSFETs - SiYangjie Technology -
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
IGLR60R340D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
PJMF280N65E1_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFETPanjit International Inc. -
IGLD60R190D1AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8Infineon Technologies -
APT5010JVR
MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOPMicrochip Technology -
SIR188DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAKVishay Siliconix -
TK5P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 5A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3Infineon Technologies -
IXFX74N50P2
MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247-3IXYS -
IGLD60R190D1AUMA3
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8Infineon Technologies -
RM50N200HD
MOSFET N-CH 200V 51A TO263-2Rectron USA -
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
NTE2393
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A TO3PNTE Electronics, Inc -
IGLD60R190D1SAUMA1
GAN HV PG-LSON-8Infineon Technologies -
RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6Rohm Semiconductor -
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies