IGLD60R190D1AUMA1
| Номер детали производителя | IGLD60R190D1AUMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8 |
| Упаковка | PG-LSON-8-1 |
| В наличии | 5517 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5517 Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-LSON-8-1 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-LDFN Exposed Pad |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
AOL1242
MOSFET N-CH 40V 14A/69A ULTRASO8Alpha & Omega Semiconductor Inc. -
NTLUS029N06T6TAG
MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFNonsemi -
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3Vishay Siliconix -
IRFBC30ASTRR
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAKVishay Siliconix -
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLR60R340D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
HUF76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAKFairchild Semiconductor -
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8Infineon Technologies -
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINEDiodes Incorporated -
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAKInfineon Technologies -
IGLR60R190D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
FDPF55N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
PSMN8R5-108ESQ127
N-CHANNEL POWER MOSFETNXP USA Inc. -
STD5407NT4G
STD5407 - POWER MOSFET 40V, 38A,onsemi -
UPA2738GR-E2-AX
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOPRenesas Electronics America Inc -
IRFH4226TRPBF
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFNInfineon Technologies -
IGLD60R190D1SAUMA1
GAN HV PG-LSON-8Infineon Technologies -
IGLD60R190D1AUMA3
GAN HVInfineon Technologies -
IXTA10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO263IXYS