IGLD60R070D1AUMA1
Номер детали производителя | IGLD60R070D1AUMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | GANFET N-CH 600V 15A LSON-8 |
Упаковка | PG-LSON-8-1 |
В наличии | 5361 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev EOL 19/Jul/2021Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5361 Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Vgs (макс.) | -10V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-LSON-8-1 |
Серии | CoolGaN™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Рассеиваемая мощность (макс) | 114W (Tc) |
Упаковка / | 8-LDFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 15A (Tc) |
Базовый номер продукта | IGLD60 |
Рекомендуемые продукты
-
PMN40SNAX
MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOPNexperia USA Inc. -
2SK3798(STA4,Q,M)
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(SToshiba Semiconductor and Storage -
STP3LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220STMicroelectronics -
IGLD60R190D1SAUMA1
GAN HV PG-LSON-8Infineon Technologies -
C3M0045065L-TR
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, INWolfspeed, Inc. -
IGLR60R340D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R190D1AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8Infineon Technologies -
IGLR60R190D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
DMN1004UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFNDiodes Incorporated -
IRF6674TRPBF
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFETInfineon Technologies -
IGLD60R190D1AUMA3
GAN HVInfineon Technologies -
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
2SJ463A(91)-T1-A
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETRenesas Electronics America Inc -
IRFR9210
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKVishay Siliconix -
HUF75545S3ST
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
DMP1100UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808Diodes Incorporated -
PSMN1R4-30YLD/1X
DIODE ARRAY SCHOTTKYNexperia USA Inc. -
NVMFS6B75NLT1G
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFNonsemi -
CEN1232 BK
CEN1232 ICCentral Semiconductor Corp